濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）、制絨設(shè)備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）、濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）、制絨清洗設(shè)備（XBC工藝）等；釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。其作用是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，完整的保護(hù)正面的同時(shí)。浙江晶片濕法清洗設(shè)備

濕法制絨清洗設(shè)備在安全性方面，設(shè)備主要結(jié)構(gòu)采用阻燃或不燃材料，確保安全可靠。進(jìn)風(fēng)離子風(fēng)扇和去靜電環(huán)提供雙重保護(hù)，加熱部件則采用多重相異方式保護(hù)，從而降低了安全風(fēng)險(xiǎn)。大功率工業(yè)熱水機(jī)可以加快配槽速度，通過優(yōu)化程序?qū)崿F(xiàn)能耗平衡。階梯節(jié)水和新型工藝槽換熱進(jìn)水加溫結(jié)構(gòu)，有效降低了能耗，從而降低了電池生產(chǎn)成本。光伏電池濕法制絨設(shè)備，與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。其作用是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。合肥光伏濕法清洗設(shè)備電池濕法設(shè)備配合先進(jìn)的干燥技術(shù)，可有效去除電池漿料中的水分和其他雜質(zhì)，提高電極的干燥效果。

濕法工藝是一種化學(xué)反應(yīng)過程，其中使用的催化劑是用于促進(jìn)反應(yīng)速率的物質(zhì)。在濕法工藝中，催化劑的作用是加速化學(xué)反應(yīng)的速率，從而提高生產(chǎn)效率和降低生產(chǎn)成本。在濕法工藝中，常用的催化劑包括酸、堿、氧化劑、還原劑等。其中，酸催化劑是常用的一種，它可以促進(jìn)酸堿中和反應(yīng)、酯化反應(yīng)、酰胺化反應(yīng)、烷基化反應(yīng)等。常用的酸催化劑包括硫酸、鹽酸、磷酸等。堿催化劑也是濕法工藝中常用的一種催化劑，它可以促進(jìn)酯化反應(yīng)、酰胺化反應(yīng)、?；磻?yīng)等。常用的堿催化劑包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉等。氧化劑和還原劑也是濕法工藝中常用的催化劑，它們可以促進(jìn)氧化反應(yīng)、還原反應(yīng)等。常用的氧化劑包括過氧化氫、高錳酸鉀等，常用的還原劑包括亞硫酸鈉、硫酸亞鐵等。總之，濕法工藝中使用的催化劑種類繁多，不同的反應(yīng)需要不同的催化劑來促進(jìn)反應(yīng)速率。在實(shí)際應(yīng)用中，需要根據(jù)具體的反應(yīng)條件和要求選擇合適的催化劑。

電池濕法設(shè)備Topcon工藝，拋清洗設(shè)備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，完整的保護(hù)正面的同時(shí)，對(duì)背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式，l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備，設(shè)備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。

光伏電池濕法設(shè)備XBC工藝背拋清洗設(shè)備，功能l硅片拋光處理。優(yōu)勢(shì)：進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?，槽?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。l去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。光伏電池濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）機(jī)械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí)。北京新型濕法三頭

濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，保護(hù)正面的同時(shí)，對(duì)背面作拋光處理。浙江晶片濕法清洗設(shè)備

電池濕法去PSG設(shè)備主要是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗處理，2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級(jí)。去PSG工藝首先將繞擴(kuò)層PSG進(jìn)行去除，利用背面PSG保護(hù)，在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸，整機(jī)設(shè)計(jì)為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu)，料臺(tái)歸正寬度可調(diào)，兼容更多規(guī)格的硅片，并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預(yù)留窗口；去PSG設(shè)備布局前后通透，給設(shè)備使用者提供了便捷性；上料臺(tái)搭配了大流量全新滴液泵；浙江晶片濕法清洗設(shè)備

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